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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciVEC2415-TL-W
VEC2415-TL-W Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

VEC2415-TL-W - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
VEC2415-TL-W
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-VEC2415-TL-W
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
VEC2415-TL-W.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5390

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Specifiche

Specifiche tecnologiche VEC2415-TL-W
Specifiche tecniche onsemi - VEC2415-TL-W, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - VEC2415-TL-W

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.6V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-28FL/VEC8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V  
Potenza - Max 1W  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 505pF @ 20V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base VEC2415  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi VEC2415-TL-W

Proprietà del prodotto VEC2415-TL-W VEC2415-TL-E VEC2315-TL-W VEC2616-TL-H
Modello di prodotti VEC2415-TL-W VEC2415-TL-E VEC2315-TL-W VEC2616-TL-H
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (max) a Id 2.6V @ 1mA 2.6V @ 1mA 2.6V @ 1mA 2.6V @ 1mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 60V 60V
Numero di prodotto di base VEC2415 VEC2415 VEC2315 VEC2616
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 505pF @ 20V 505pF @ 20V 420pF @ 20V 505pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 10nC @ 10V 11nC @ 10V 10nC @ 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A 3A 2.5A 3A, 2.5A
Contenitore dispositivo fornitore SOT-28FL/VEC8 SOT-28FL/VEC8 SOT-28FL/VEC8 SOT-28FL/VEC8
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V 80mOhm @ 1.5A, 10V 137mOhm @ 1.5A, 10V 80mOhm @ 1.5A, 10V
Serie - - - -
Potenza - Max 1W 1W 1W 1W
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 4V Drive Logic Level Gate
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead

VEC2415-TL-W Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VEC2415-TL-W PDF e la documentazione onsemi per VEC2415-TL-W - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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