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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NVR5198NLT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVR5198NLT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVR5198NLT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
NVR5198NL.pdf
Stato RoHS
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Specifiche

Specifiche tecnologiche NVR5198NLT1G
Specifiche tecniche onsemi - NVR5198NLT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVR5198NLT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 155mOhm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 182 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base NVR5198  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVR5198NLT1G

Proprietà del prodotto NVR5198NLT1G ZVN4210ASTZ NVR5124PLT1G NVR4003NT3G
Modello di prodotti NVR5198NLT1G ZVN4210ASTZ NVR5124PLT1G NVR4003NT3G
fabbricante onsemi Diodes Incorporated onsemi onsemi
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) E-Line (TO-92 compatible) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta) 450mA (Ta) 1.1A (Ta) 500mA (Ta)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 E-Line-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 182 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 21 pF @ 5 V
Serie Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base NVR5198 ZVN4210 NVR5124 NVR4003
Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta) 700mW (Ta) 470mW (Ta) 690mW (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.4V @ 1mA 2.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 60 V 30 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 155mOhm @ 1A, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 230mOhm @ 3A, 10V 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V - 4.3 nC @ 10 V 1.15 nC @ 5 V

NVR5198NLT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVR5198NLT1G PDF e la documentazione onsemi per NVR5198NLT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
SOT23 27/Sep/2016.pdf
Schede tecniche
NVR5198NL.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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