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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNVMFD5875NLT1G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVMFD5875NLT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVMFD5875NLT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVMFD5875NLT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
NVMFD5875NL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVMFD5875NLT1G
Specifiche tecniche onsemi - NVMFD5875NLT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVMFD5875NLT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 33mOhm @ 7.5A, 10V  
Potenza - Max 3.2W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NVMFD5875  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVMFD5875NLT1G

Proprietà del prodotto NVMFD5875NLT1G NVMFD5853NWFT1G NVMFD5C462NT1G NVMFD5877NLWFT1G
Modello di prodotti NVMFD5875NLT1G NVMFD5853NWFT1G NVMFD5C462NT1G NVMFD5877NLWFT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 24nC @ 10V 16nC @ 10V 20nC @ 10V
Potenza - Max 3.2W 3.1W 3.2W (Ta), 50W (Tc) 3.2W
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 40V 40V 60V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A 12A 17.6A (Ta), 70A (Tc) 6A
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 33mOhm @ 7.5A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 5.4mOhm @ 25A, 10V 39mOhm @ 7.5A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V 1225pF @ 25V 1020pF @ 25V 540pF @ 25V
Numero di prodotto di base NVMFD5875 NVMFD5853 NVMFD5 NVMFD5877
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3V @ 250µA

NVMFD5875NLT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVMFD5875NLT1G PDF e la documentazione onsemi per NVMFD5875NLT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Schede tecniche
NVMFD5875NL.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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