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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNVMFD5489NLT1G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVMFD5489NLT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVMFD5489NLT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVMFD5489NLT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
NVMFD5489NLT(WF).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 109360

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NVMFD5489NLT1G
Specifiche tecniche onsemi - NVMFD5489NLT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVMFD5489NLT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V  
Potenza - Max 3W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.4nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NVMFD5483  

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Proprietà del prodotto NVMFD5489NLT1G NVMFD5485NLT1G NVMD6N04R2G NVMFD5852NLWFT1G
Modello di prodotti NVMFD5489NLT1G NVMFD5485NLT1G NVMD6N04R2G NVMFD5852NLWFT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Potenza - Max 3W 2.9W 1.29W 3.2W
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 40V 40V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base NVMFD5483 NVMFD5483 NVMD6 NVMFD5852
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-SOIC 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V 44mOhm @ 15A, 10V 34mOhm @ 5.8A, 10V 6.9mOhm @ 20A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.4nC @ 10V 20nC @ 10V 30nC @ 10V 36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V 560pF @ 25V 900pF @ 32V 1800pF @ 25V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A 5.3A 4.6A 15A
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

NVMFD5489NLT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVMFD5489NLT1G PDF e la documentazione onsemi per NVMFD5489NLT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NVMFD5489NLT(WF).pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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