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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNVMD6N04R2G
NVMD6N04R2G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVMD6N04R2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVMD6N04R2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVMD6N04R2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NTMD6N04, NVMD6N04.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5270

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVMD6N04R2G
Specifiche tecniche onsemi - NVMD6N04R2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVMD6N04R2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 34mOhm @ 5.8A, 10V  
Potenza - Max 1.29W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NVMD6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVMD6N04R2G

Proprietà del prodotto NVMD6N04R2G NVMFD5485NLWFT1G NVMFD5853NLT1G NVMFD5489NLT1G
Modello di prodotti NVMD6N04R2G NVMFD5485NLWFT1G NVMFD5853NLT1G NVMFD5489NLT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 40V 60V 40V 60V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Numero di prodotto di base NVMD6 NVMFD5483 NVMFD5853 NVMFD5483
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V 560pF @ 25V 1100pF @ 25V 330pF @ 25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A 5.3A 12A 4.5A
Rds On (max) a Id, Vgs 34mOhm @ 5.8A, 10V 44mOhm @ 15A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 65mOhm @ 15A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 20nC @ 10V 23nC @ 10V 12.4nC @ 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 1.29W 2.9W 3W 3W

NVMD6N04R2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVMD6N04R2G PDF e la documentazione onsemi per NVMD6N04R2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Schede tecniche
NTMD6N04, NVMD6N04.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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