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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVLUS4C12NTAG
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVLUS4C12NTAG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVLUS4C12NTAG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVLUS4C12NTAG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 6.8A 6UDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UDFN Exposed Pad
Scheda dati
NVLUS4C12NTAG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 71370

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVLUS4C12NTAG
Specifiche tecniche onsemi - NVLUS4C12NTAG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVLUS4C12NTAG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-UDFN (2x2)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 630mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1172 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3.3V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Ta)  
Numero di prodotto di base NVLUS4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVLUS4C12NTAG

Proprietà del prodotto NVLUS4C12NTAG SUM90140E-GE3 DMP3017SFG-7 FCU2250N80Z
Modello di prodotti NVLUS4C12NTAG SUM90140E-GE3 DMP3017SFG-7 FCU2250N80Z
fabbricante onsemi Vishay Siliconix Diodes Incorporated Fairchild Semiconductor
Dissipazione di potenza (max) 630mW (Ta) 375W (Tc) 940mW (Ta) 39W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Ta) 90A (Tc) 11.5A (Ta) 2.6A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3.3V, 10V 7.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1172 pF @ 15 V 4132 pF @ 100 V 2246 pF @ 15 V 585 pF @ 100 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4.5V @ 260µA
Contenitore dispositivo fornitore 6-UDFN (2x2) D²PAK (TO-263) POWERDI3333-8 I-PAK
Numero di prodotto di base NVLUS4 SUM90140 DMP3017 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Serie Automotive, AEC-Q101 ThunderFET® - SuperFET® II
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 200 V 30 V 800 V
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 9A, 10V 17mOhm @ 30A, 10V 10mOhm @ 11.5A, 10V 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-PowerVDFN TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

NVLUS4C12NTAG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVLUS4C12NTAG PDF e la documentazione onsemi per NVLUS4C12NTAG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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