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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDPF2D3N10C
FDPF2D3N10C Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDPF2D3N10C - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDPF2D3N10C
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDPF2D3N10C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
FDP2D3N10C, FDPF2D3N10C.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 8870

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDPF2D3N10C
Specifiche tecniche onsemi - FDPF2D3N10C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDPF2D3N10C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 700µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11180 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 222A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDPF2D3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDPF2D3N10C

Proprietà del prodotto FDPF2D3N10C FDPF2710T FDPF20N50FT FDPF320N06L
Modello di prodotti FDPF2D3N10C FDPF2710T FDPF20N50FT FDPF320N06L
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11180 pF @ 50 V 7280 pF @ 25 V 3390 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) 62.5W (Tc) 38.5W (Tc) 26W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V 42.5mOhm @ 25A, 10V 260mOhm @ 10A, 10V 25mOhm @ 21A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 101 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 30.2 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 250 V 500 V 60 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 222A (Tc) 25A (Tc) 20A (Tc) 21A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base FDPF2D3 FDPF2710 FDPF20 FDPF320
Serie PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ PowerTrench®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 700µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDPF2D3N10C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDPF2D3N10C PDF e la documentazione onsemi per FDPF2D3N10C - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
FDP2D3N10C, FDPF2D3N10C.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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