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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVD5802NT4G
NVD5802NT4G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVD5802NT4G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVD5802NT4G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVD5802NT4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD,NVD5802N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4660

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVD5802NT4G
Specifiche tecniche onsemi - NVD5802NT4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVD5802NT4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16.4A (Ta), 101A (Tc)  
Numero di prodotto di base NVD580  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVD5802NT4G

Proprietà del prodotto NVD5802NT4G NVD5413NT4G NVD5806NT4G NVD5490NLT4G
Modello di prodotti NVD5802NT4G NVD5413NT4G NVD5806NT4G NVD5490NLT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) 68W (Tc) 40W (Tc) 3.4W (Ta), 49W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 19mOhm @ 15A, 10V 64mOhm @ 9A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16.4A (Ta), 101A (Tc) 30A (Tc) 33A (Tc) 5A (Ta), 17A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK-3
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 60 V 40 V 60 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 12 V 1725 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 365 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base NVD580 NVD541 NVD580 NVD549
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

NVD5802NT4G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVD5802NT4G PDF e la documentazione onsemi per NVD5802NT4G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 06/Oct/2021.pdf Mult Dev EOL 24/Jul/2019.pdf Reactivation 29/Aug/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Capacity 27/Jul/2020.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound Revision 24/Apr/2015.pdf Mold Compound Update 25/Feb/2015.pdf
Schede tecniche
NTD,NVD5802N.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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