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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVD5117PLT4G-VF01
NVD5117PLT4G-VF01 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NVD5117PLT4G-VF01 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVD5117PLT4G-VF01
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVD5117PLT4G-VF01
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NVD5117PL.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 21205

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NVD5117PLT4G-VF01
Specifiche tecniche onsemi - NVD5117PLT4G-VF01, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVD5117PLT4G-VF01

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 29A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 4.1W (Ta), 118W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 61A (Tc)  
Numero di prodotto di base NVD5117  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVD5117PLT4G-VF01

Proprietà del prodotto NVD5117PLT4G-VF01 NVD4856NT4G NVD4806NT4G NVD5407NT4G
Modello di prodotti NVD5117PLT4G-VF01 NVD4856NT4G NVD4806NT4G NVD5407NT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 25 V 30 V 40 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 61A (Tc) 13.3A (Ta), 89A (Tc) 11.3A (Ta), 79A (Tc) 7.6A (Ta), 38A (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V 27 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 20 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 11.5V 5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V 2241 pF @ 12 V 2142 pF @ 12 V 1000 pF @ 32 V
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 29A, 10V 4.7mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V
Numero di prodotto di base NVD5117 NVD485 NVD480 NVD5407
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 4.1W (Ta), 118W (Tc) 1.33W (Ta), 60W (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc) 2.9W (Ta), 75W (Tc)

NVD5117PLT4G-VF01 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVD5117PLT4G-VF01 PDF e la documentazione onsemi per NVD5117PLT4G-VF01 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NVD5117PL.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound Revision 24/Apr/2015.pdf Mold Compound Update 25/Feb/2015.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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