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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTTFS4C08NTAG
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTTFS4C08NTAG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTTFS4C08NTAG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTTFS4C08NTAG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
NTTFS4C08N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 71490

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTTFS4C08NTAG
Specifiche tecniche onsemi - NTTFS4C08NTAG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTTFS4C08NTAG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 820mW (Ta), 25.5W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1113 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.2 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTTFS4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTTFS4C08NTAG

Proprietà del prodotto NTTFS4C08NTAG NTTFS4C02NTAG NTTFS4C08NTWG NTTFS4C25NTWG
Modello di prodotti NTTFS4C08NTAG NTTFS4C02NTAG NTTFS4C08NTWG NTTFS4C25NTWG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.2 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V 18.2 nC @ 10 V 10.3 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Ta) 170A (Tc) 9.3A (Ta) 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V 2.25mOhm @ 20A, 10V 5.9mOhm @ 30A, 10V 17mOhm @ 10A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1113 pF @ 15 V 2980 pF @ 15 V 1113 pF @ 15 V 500 pF @ 15 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Dissipazione di potenza (max) 820mW (Ta), 25.5W (Tc) 91W (Tc) 820mW (Ta), 25.5W (Tc) 690mW (Ta), 20.2W (Tc)
Numero di prodotto di base NTTFS4 NTTFS4 NTTFS4 NTTFS4

NTTFS4C08NTAG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTTFS4C08NTAG PDF e la documentazione onsemi per NTTFS4C08NTAG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 26/Aug/2021.pdf
Schede tecniche
NTTFS4C08N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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