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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTTFS4C05NTAG
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTTFS4C05NTAG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTTFS4C05NTAG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTTFS4C05NTAG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
NTTFS4C05N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 32800

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTTFS4C05NTAG
Specifiche tecniche onsemi - NTTFS4C05NTAG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTTFS4C05NTAG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.6mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 820mW (Ta), 33W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1988 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTTFS4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTTFS4C05NTAG

Proprietà del prodotto NTTFS4C05NTAG NTTFS4937NTWG NTTFS4C08NTWG NTTFS4945NTAG
Modello di prodotti NTTFS4C05NTAG NTTFS4937NTWG NTTFS4C08NTWG NTTFS4945NTAG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base NTTFS4 NTTFS4937 NTTFS4 NTTFS4
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 75A (Tc) 11A (Ta), 75A (Tc) 9.3A (Ta) 7.1A (Ta), 34A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 35.5 nC @ 10 V 18.2 nC @ 10 V 17.3 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1988 pF @ 15 V 2540 pF @ 15 V 1113 pF @ 15 V 1194 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 3.6mOhm @ 30A, 10V 4.5mOhm @ 20A, 10V 5.9mOhm @ 30A, 10V 9mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 820mW (Ta), 33W (Tc) 860mW (Ta), 43.1W (Tc) 820mW (Ta), 25.5W (Tc) 890mW (Ta), 20W (Tc)
Caratteristica FET - - - -

NTTFS4C05NTAG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTTFS4C05NTAG PDF e la documentazione onsemi per NTTFS4C05NTAG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
MPN Label Update 08/Sep/2021.pdf MPN label update 11/Oct/2021.pdf
Schede tecniche
NTTFS4C05N.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 26/Aug/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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