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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTTFS3A08PZTAG
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTTFS3A08PZTAG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTTFS3A08PZTAG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTTFS3A08PZTAG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
NTTFS3A08PZ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTTFS3A08PZTAG
Specifiche tecniche onsemi - NTTFS3A08PZTAG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTTFS3A08PZTAG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.7mOhm @ 12A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 840mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTTFS3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTTFS3A08PZTAG

Proprietà del prodotto NTTFS3A08PZTAG NTTFS3A08PZTWG NTTFS4821NTAG NTTD4401FR2G
Modello di prodotti NTTFS3A08PZTAG NTTFS3A08PZTWG NTTFS4821NTAG NTTD4401FR2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipazione di potenza (max) 840mW (Ta) 840mW (Ta) 660mW (Ta), 38.5W (Tc) 780mW (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V 56 nC @ 4.5 V 24 nC @ 11.5 V 18 nC @ 4.5 V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 6.7mOhm @ 12A, 4.5V 6.7mOhm @ 12A, 4.5V 7mOhm @ 20A, 10V 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base NTTFS3 NTTFS3 NTTFS4821 NTTD44
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±20V ±10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-MSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) 9A (Ta) 7.5A (Ta), 57A (Tc) 2.4A (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 10 V 5000 pF @ 10 V 1755 pF @ 12 V 750 pF @ 16 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 11.5V 2.5V, 4.5V
Caratteristica FET - - - Schottky Diode (Isolated)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - FETKY™
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V

NTTFS3A08PZTAG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTTFS3A08PZTAG PDF e la documentazione onsemi per NTTFS3A08PZTAG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Schede tecniche
NTTFS3A08PZ.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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