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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTTD4401FR2
NTTD4401FR2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTTD4401FR2 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTTD4401FR2
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTTD4401FR2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
NTTD4401F.pdf
In magazzino: 4410

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTTD4401FR2
Specifiche tecniche onsemi - NTTD4401FR2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTTD4401FR2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP  
Serie FETKY™  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3.3A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 780mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 16 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTTD44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTTD4401FR2

Proprietà del prodotto NTTD4401FR2 NTTFS3A08PZTAG NTTFS1D2N02P1E NTTD4401FR2G
Modello di prodotti NTTD4401FR2 NTTFS3A08PZTAG NTTFS1D2N02P1E NTTD4401FR2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP 8-WDFN (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3) 8-MSOP
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 16 V 5000 pF @ 10 V 4040 pF @ 13 V 750 pF @ 16 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie FETKY™ - - FETKY™
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) - - Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 780mW (Ta) 840mW (Ta) 820mW (Ta), 52W (Tc) 780mW (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta) 9A (Ta) 23A (Ta), 180A (Tc) 2.4A (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V 56 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±10V ±8V +16V, -12V ±10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Numero di prodotto di base NTTD44 NTTFS3 NTTFS1 NTTD44
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 25 V 20 V
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3.3A, 4.5V 6.7mOhm @ 12A, 4.5V 1mOhm @ 38A, 10V 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 934µA 1.5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

NTTD4401FR2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTTD4401FR2 PDF e la documentazione onsemi per NTTD4401FR2 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 27/Jun/2007.pdf
Schede tecniche
NTTD4401F.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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