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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTP30N06LG
NTP30N06LG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTP30N06LG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTP30N06LG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTP30N06LG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
NTB,NTP30N06L.pdf
In magazzino: 3640

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTP30N06LG
Specifiche tecniche onsemi - NTP30N06LG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTP30N06LG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 46mOhm @ 15A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 88.2W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTP30N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTP30N06LG

Proprietà del prodotto NTP30N06LG NTP30N06L NTP2955G NTP18N06LG
Modello di prodotti NTP30N06LG NTP30N06L NTP2955G NTP18N06LG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie - - - -
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 46mOhm @ 15A, 5V 46mOhm @ 15A, 5V 196mOhm @ 12A, 10V 100mOhm @ 7.5A, 5V
Dissipazione di potenza (max) 88.2W (Tc) 88.2W (Tc) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) 48.4W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numero di prodotto di base NTP30N NTP30N NTP2955 NTP18N
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta) 30A (Ta) 2.4A (Ta) 15A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V 32 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 25 V 1150 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Vgs (Max) ±15V ±15V ±20V ±10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 10V 5V

NTP30N06LG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTP30N06LG PDF e la documentazione onsemi per NTP30N06LG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 01/Jul/2009.pdf
Schede tecniche
NTB,NTP30N06L.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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