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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTP30N06L
NTP30N06L Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NTP30N06L - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTP30N06L
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTP30N06L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
NTB,NTP30N06L.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5330

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTP30N06L
Specifiche tecniche onsemi - NTP30N06L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTP30N06L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 46mOhm @ 15A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 88.2W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTP30N  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTP30N06L

Proprietà del prodotto NTP30N06L NTP2955G NTP190N65S3HF NTP30N06LG
Modello di prodotti NTP30N06L NTP2955G NTP190N65S3HF NTP30N06LG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie - - FRFET®, SuperFET® III -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (max) a Id, Vgs 46mOhm @ 15A, 5V 196mOhm @ 12A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V 46mOhm @ 15A, 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base NTP30N NTP2955 NTP190 NTP30N
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±15V ±20V ±30V ±15V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta) 2.4A (Ta) 20A (Tc) 30A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220-3 TO-220
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 650 V 60 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 430µA 2V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 10V 10V 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 1610 pF @ 400 V 1150 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 88.2W (Tc) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) 162W (Tc) 88.2W (Tc)

NTP30N06L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTP30N06L PDF e la documentazione onsemi per NTP30N06L - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 19/Jun/2009.pdf
Schede tecniche
NTB,NTP30N06L.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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