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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTMS4801NR2G
NTMS4801NR2G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTMS4801NR2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTMS4801NR2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTMS4801NR2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NTMS4801N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTMS4801NR2G
Specifiche tecniche onsemi - NTMS4801NR2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTMS4801NR2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2201 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTMS4801  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTMS4801NR2G

Proprietà del prodotto NTMS4801NR2G NTMS4916NR2G NTMS4872NR2G NTMS4816NR2G
Modello di prodotti NTMS4801NR2G NTMS4916NR2G NTMS4872NR2G NTMS4816NR2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta) 7.8A (Ta) 6A (Ta), 10.2A (Tc) 6.8A (Ta)
Serie - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 18.3 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 12A, 10V 9mOhm @ 12A, 10V 13.5mOhm @ 10.2A, 10V 10mOhm @ 9A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2201 pF @ 25 V 1376 pF @ 25 V 1700 pF @ 15 V 1060 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta) 890mW (Ta) 820mW (Ta) 780mW (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base NTMS4801 NTMS4916 NTMS48 NTMS4816

NTMS4801NR2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTMS4801NR2G PDF e la documentazione onsemi per NTMS4801NR2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Schede tecniche
NTMS4801N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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