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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTMS4800NR2G
NTMS4800NR2G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTMS4800NR2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTMS4800NR2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTMS4800NR2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NTMS4800N.pdf
In magazzino: 5360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTMS4800NR2G
Specifiche tecniche onsemi - NTMS4800NR2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTMS4800NR2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTMS48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTMS4800NR2G

Proprietà del prodotto NTMS4800NR2G NTMS4706NR2G NTMS4704NR2G NTMS4705NR2G
Modello di prodotti NTMS4800NR2G NTMS4706NR2G NTMS4704NR2G NTMS4705NR2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - - * -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V - 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V - 18 nC @ 4.5 V
Numero di prodotto di base NTMS48 NTMS47 - NTMS47
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V 950 pF @ 24 V - 1078 pF @ 24 V
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 7.5A, 10V 12mOhm @ 10.3A, 10V - 10mOhm @ 12A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC - 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A (Ta) 6.4A (Ta) - 7.4A (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA - 3V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta) 830mW (Ta) - 850mW (Ta)

NTMS4800NR2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTMS4800NR2G PDF e la documentazione onsemi per NTMS4800NR2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NTMS4800N.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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