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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNTJD4001NT1G
NTJD4001NT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTJD4001NT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTJD4001NT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTJD4001NT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
N(V)TJD4001N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 269580

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTJD4001NT1G
Specifiche tecniche onsemi - NTJD4001NT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTJD4001NT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 100µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V  
Potenza - Max 272mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NTJD4001  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTJD4001NT1G

Proprietà del prodotto NTJD4001NT1G NTJD4152PT2G NTJD4105CT2 NTJD4105CT2G
Modello di prodotti NTJD4001NT1G NTJD4152PT2G NTJD4105CT2 NTJD4105CT2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max 272mW 272mW 270mW 270mW
Tensione drain-source (Vdss) 30V 20V 20V, 8V 20V, 8V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base NTJD4001 NTJD4152 NTJD4105 NTJD4105
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 100µA 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V 155pF @ 20V 46pF @ 20V 46pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V 2.2nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA 880mA 630mA, 775mA 630mA, 775mA
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Caratteristica FET - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

NTJD4001NT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTJD4001NT1G PDF e la documentazione onsemi per NTJD4001NT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
N(V)TJD4001N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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