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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNTJD3158CT1G
NTJD3158CT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTJD3158CT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTJD3158CT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTJD3158CT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
NTJD3158C.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4490

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTJD3158CT1G
Specifiche tecniche onsemi - NTJD3158CT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTJD3158CT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V  
Potenza - Max 270mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 630mA, 820mA  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base NTJD31  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTJD3158CT1G

Proprietà del prodotto NTJD3158CT1G NTJD4152PT2G NTJD3158CT2G NTJD4105CT2G
Modello di prodotti NTJD3158CT1G NTJD4152PT2G NTJD3158CT2G NTJD4105CT2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V, 8V
Potenza - Max 270mW 272mW 270mW 270mW
Numero di prodotto di base NTJD31 NTJD4152 NTJD31 NTJD4105
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configurazione N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V 155pF @ 20V 46pF @ 20V 46pF @ 20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 630mA, 820mA 880mA 630mA, 820mA 630mA, 775mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NTJD3158CT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTJD3158CT1G PDF e la documentazione onsemi per NTJD3158CT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Schede tecniche
NTJD3158C.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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