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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTH027N65S3F-F155
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTH027N65S3F-F155 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTH027N65S3F-F155
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTH027N65S3F-F155
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
NTH027N65S3F.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1951

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTH027N65S3F-F155
Specifiche tecniche onsemi - NTH027N65S3F-F155, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTH027N65S3F-F155

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 7.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie FRFET®, SuperFET® II  
Rds On (max) a Id, Vgs 27.4mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7690 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 259 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTH027  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTH027N65S3F-F155

Proprietà del prodotto NTH027N65S3F-F155 NTH4L040N65S3F NTH4L040N120SC1 NTH4L080N120SC1
Modello di prodotti NTH027N65S3F-F155 NTH4L040N65S3F NTH4L040N120SC1 NTH4L080N120SC1
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 27.4mOhm @ 35A, 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 56mOhm @ 35A, 20V 110mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 7.5mA 5V @ 2.1mA 4.3V @ 10mA 4.3V @ 5mA
Numero di prodotto di base NTH027 NTH4L040 NTH4L040 NTH4L080
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-4 TO-247-4 TO-247-4
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V 1200 V 1200 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-4L TO-247-4L TO-247-4L
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 20V 20V
Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc) 446W (Tc) 319W (Tc) 170W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V +25V, -15V +25V, -15V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 259 nC @ 10 V 158 nC @ 10 V 106 nC @ 20 V 56 nC @ 20 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 65A (Tc) 58A (Tc) 29A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7690 pF @ 400 V 5940 pF @ 400 V 1762 pF @ 800 V 1670 pF @ 800 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie FRFET®, SuperFET® II FRFET®, SuperFET® III - -

NTH027N65S3F-F155 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTH027N65S3F-F155 PDF e la documentazione onsemi per NTH027N65S3F-F155 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Packaging PCN
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site 17/May/2023.pdf
Schede tecniche
NTH027N65S3F.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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