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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTH4L040N65S3F
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTH4L040N65S3F - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTH4L040N65S3F
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTH4L040N65S3F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-4
Scheda dati
NTH4L040N65S3F.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3007

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTH4L040N65S3F
Specifiche tecniche onsemi - NTH4L040N65S3F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTH4L040N65S3F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-4L  
Serie FRFET®, SuperFET® III  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 446W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-4  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5940 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 158 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTH4L040  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTH4L040N65S3F

Proprietà del prodotto NTH4L040N65S3F NTH4L080N120SC1 NTH4L040N120SC1 NTH441CT
Modello di prodotti NTH4L040N65S3F NTH4L080N120SC1 NTH4L040N120SC1 NTH441CT
fabbricante onsemi onsemi onsemi Pulse Electronics
Numero di prodotto di base NTH4L040 NTH4L080 NTH4L040 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) -
Pacchetto Tube Tube Tube -
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 1200 V 1200 V -
Contenitore / involucro TO-247-4 TO-247-4 TO-247-4 -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole -
Dissipazione di potenza (max) 446W (Tc) 170W (Tc) 319W (Tc) -
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 20V 20V -
Vgs (Max) ±30V +25V, -15V +25V, -15V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc) 29A (Tc) 58A (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.1mA 4.3V @ 5mA 4.3V @ 10mA -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-4L TO-247-4L TO-247-4L -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 158 nC @ 10 V 56 nC @ 20 V 106 nC @ 20 V -
Serie FRFET®, SuperFET® III - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5940 pF @ 400 V 1670 pF @ 800 V 1762 pF @ 800 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V 110mOhm @ 20A, 20V 56mOhm @ 35A, 20V -

NTH4L040N65S3F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTH4L040N65S3F PDF e la documentazione onsemi per NTH4L040N65S3F - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Packaging PCN
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Change 17/May/2023.pdf
Schede tecniche
NTH4L040N65S3F.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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