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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD23N03RG
NTD23N03RG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD23N03RG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD23N03RG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD23N03RG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD23N03R.pdf
In magazzino: 4930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD23N03RG
Specifiche tecniche onsemi - NTD23N03RG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD23N03RG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 225 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.76 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta), 17.1A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTD23  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD23N03RG

Proprietà del prodotto NTD23N03RG NTD24N06LG NTD24N06LT4G NTD20P06LG
Modello di prodotti NTD23N03RG NTD24N06LG NTD24N06LT4G NTD20P06LG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 60 V 60 V 60 V
Numero di prodotto di base NTD23 NTD24 NTD24 NTD20
Vgs (Max) ±20V ±15V ±15V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 24A (Ta) 24A (Ta) 15.5A (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V 45mOhm @ 10A, 5V 45mOhm @ 10A, 5V 150mOhm @ 7.5A, 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
Dissipazione di potenza (max) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) 65W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 225 pF @ 20 V 1140 pF @ 25 V 1140 pF @ 25 V 1190 pF @ 25 V
Serie - - - -
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 5V 5V 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.76 nC @ 4.5 V 32 nC @ 5 V 32 nC @ 5 V 26 nC @ 5 V

NTD23N03RG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD23N03RG PDF e la documentazione onsemi per NTD23N03RG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Apr/2007.pdf
Schede tecniche
NTD23N03R.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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