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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - singolo, pre -poialatoNSVMUN5132T1G
NSVMUN5132T1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NSVMUN5132T1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NSVMUN5132T1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NSVMUN5132T1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-70, SOT-323
Scheda dati
MUN(2,5)132, MMUN2132L, DTA143Exx, NSBA143EF3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 692400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NSVMUN5132T1G
Specifiche tecniche onsemi - NSVMUN5132T1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NSVMUN5132T1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA  
Tipo transistor PNP - Pre-Biased  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3 (SOT323)  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms  
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Potenza - Max 202 mW  
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA  
Numero di prodotto di base NSVMUN5132  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NSVMUN5132T1G

Proprietà del prodotto NSVMUN5132T1G NSVMUN2112T1G NSVMUN2237T1G NSVMUN5236T1G
Modello di prodotti NSVMUN5132T1G NSVMUN2112T1G NSVMUN2237T1G NSVMUN5236T1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 5mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms 22 kOhms 47 kOhms 100 kOhms
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Tipo transistor PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Serie - - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms 22 kOhms 22 kOhms 100 kOhms
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3 (SOT323) SC-59 SC-59 SC-70-3 (SOT323)
Potenza - Max 202 mW 230 mW 230 mW 202 mW
Numero di prodotto di base NSVMUN5132 NSVMUN2112 NSVMUN2237 NSVMUN5236

NSVMUN5132T1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NSVMUN5132T1G PDF e la documentazione onsemi per NSVMUN5132T1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Green Compound Update 04/Mar/2015.pdf
Schede tecniche
MUN(2,5)132, MMUN2132L, DTA143Exx, NSBA143EF3.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Bond Wire 07/Mar/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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