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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - singolo, pre -poialatoNSVMUN2112T1G
NSVMUN2112T1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NSVMUN2112T1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NSVMUN2112T1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NSVMUN2112T1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
MUNx112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 1975000

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NSVMUN2112T1G
Specifiche tecniche onsemi - NSVMUN2112T1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NSVMUN2112T1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Tipo transistor PNP - Pre-Biased  
Contenitore dispositivo fornitore SC-59  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms  
Resistor - Base (R1) 22 kOhms  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Potenza - Max 230 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA  
Numero di prodotto di base NSVMUN2112  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NSVMUN2112T1G

Proprietà del prodotto NSVMUN2112T1G NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2232LT1G NSVMMUN2135LT1G
Modello di prodotti NSVMUN2112T1G NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2232LT1G NSVMMUN2135LT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Numero di prodotto di base NSVMUN2112 NSVMMUN2212 NSVMMUN2232 NSVMMUN2135
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Contenitore dispositivo fornitore SC-59 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Tipo transistor PNP - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 22 kOhms 22 kOhms 4.7 kOhms 2.2 kOhms
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms 22 kOhms 4.7 kOhms 47 kOhms
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V 15 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Potenza - Max 230 mW 246 mW 246 mW 246 mW
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA

NSVMUN2112T1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NSVMUN2112T1G PDF e la documentazione onsemi per NSVMUN2112T1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chgs 3/Jul/2020.pdf
Schede tecniche
MUNx112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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