Specifiche
Specifiche tecnologiche NSBC114EPDXV6T1G
Specifiche tecniche onsemi - NSBC114EPDXV6T1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NSBC114EPDXV6T1G
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
onsemi |
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| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) |
50V |
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| Vce saturazione (max) a Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA |
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| Tipo transistor |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
SOT-563 |
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| Serie |
- |
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| Resistor - Emitter Base (R2) |
10kOhms |
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| Resistor - Base (R1) |
10kOhms |
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| Potenza - Max |
500mW |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| Contenitore / involucro |
SOT-563, SOT-666 |
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| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Frequenza - transizione |
- |
|
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce |
35 @ 5mA, 10V |
|
| Corrente - Cutoff collettore (max) |
500nA |
|
| Corrente - collettore (Ic) (max) |
100mA |
|
| Numero di prodotto di base |
NSBC114 |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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NSBC114EPDXV6T5onsemiSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
NSBC114YDXV6T1GFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
NSBA143ZF3T5GonsemiTRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
NSBC114EPDP6T5GonsemiTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
NSBC114TDXV6T1GRochester Electronics, LLCNSBC114TDXV6 - DIGITAL BJT 2 NPN