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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoNSBC114EPDP6T5G
NSBC114EPDP6T5G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NSBC114EPDP6T5G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NSBC114EPDP6T5G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NSBC114EPDP6T5G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Pacchetto
SOT-963
Scheda dati
MUN5311DW1, NSBC114EPXxx.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 459300

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche NSBC114EPDP6T5G
Specifiche tecniche onsemi - NSBC114EPDP6T5G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NSBC114EPDP6T5G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-963  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms  
Resistor - Base (R1) 10kOhms  
Potenza - Max 339mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SOT-963  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di prodotto di base NSBC114  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NSBC114EPDP6T5G

Proprietà del prodotto NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T5G NSBC114TDXV6T1
Modello di prodotti NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T5G NSBC114TDXV6T1
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V 50V 50V -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V -
Numero di prodotto di base NSBC114 NSBC114 NSBC114 NSBC114
Resistor - Base (R1) 10kOhms 10kOhms 10kOhms -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Serie - - - *
Frequenza - transizione - - - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA -
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-963 SOT-563 SOT-563 -
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA 500nA 500nA -
Contenitore / involucro SOT-963 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 -
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms 10kOhms 10kOhms -
Potenza - Max 339mW 500mW 500mW -

NSBC114EPDP6T5G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NSBC114EPDP6T5G PDF e la documentazione onsemi per NSBC114EPDP6T5G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Wire Bond 01/Dec/2010.pdf
Schede tecniche
MUN5311DW1, NSBC114EPXxx.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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