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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciMMDF3N04HDR2G
MMDF3N04HDR2G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MMDF3N04HDR2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MMDF3N04HDR2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MMDF3N04HDR2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
MMDF3N04HD.pdf
In magazzino: 3870

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Specifiche

Specifiche tecnologiche MMDF3N04HDR2G
Specifiche tecniche onsemi - MMDF3N04HDR2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MMDF3N04HDR2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 3.4A, 10V  
Potenza - Max 1.39W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base MMDF3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MMDF3N04HDR2G

Proprietà del prodotto MMDF3N04HDR2G MMDF3N03HDR2 MMDF3N04HDR2 MMDF3N06HDR2G
Modello di prodotti MMDF3N04HDR2G MMDF3N03HDR2 MMDF3N04HDR2 MMDF3N06HDR2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi AMI Semiconductor/onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 3.4A, 10V 70mOhm @ 3A, 10V 80mOhm @ 3.4A, 10V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tensione drain-source (Vdss) 40V 30V 40V -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V 630pF @ 24V 900pF @ 32V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A 4.1A 3.4A -
Potenza - Max 1.39W 2W 1.39W -
Numero di prodotto di base MMDF3 MMDF3 MMDF3 -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA -
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V 16nC @ 10V 28nC @ 10V -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -

MMDF3N04HDR2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MMDF3N04HDR2G PDF e la documentazione onsemi per MMDF3N04HDR2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Schede tecniche
MMDF3N04HD.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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