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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloMMDF3N02HDR2G
MMDF3N02HDR2G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MMDF3N02HDR2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MMDF3N02HDR2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MMDF3N02HDR2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
MMDF3N02HD.pdf
In magazzino: 5480

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Specifiche

Specifiche tecnologiche MMDF3N02HDR2G
Specifiche tecniche onsemi - MMDF3N02HDR2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MMDF3N02HDR2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 16 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta)  
Numero di prodotto di base MMDF3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MMDF3N02HDR2G

Proprietà del prodotto MMDF3N02HDR2G MMDF2P02HDR2G MMDF2P02HDR2 MMDF3C03HDR2G
Modello di prodotti MMDF3N02HDR2G MMDF2P02HDR2G MMDF2P02HDR2 MMDF3C03HDR2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi AMI Semiconductor/onsemi
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V 160mOhm @ 2A, 10V 160mOhm @ 2A, 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta) 3.3A 3.3A -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - -
Tipo FET N-Channel - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 16 V 588pF @ 16V 588pF @ 16V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 20nC @ 10V 20nC @ 10V -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Numero di prodotto di base MMDF3 MMDF2 MMDF2 -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20V 20V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

MMDF3N02HDR2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MMDF3N02HDR2G PDF e la documentazione onsemi per MMDF3N02HDR2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Schede tecniche
MMDF3N02HD.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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