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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloMMBF170
MMBF170 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

MMBF170 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MMBF170
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MMBF170
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
MMBF170.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 395650

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche MMBF170
Specifiche tecniche onsemi - MMBF170, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MMBF170

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)  
Numero di prodotto di base MMBF17  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MMBF170

Proprietà del prodotto MMBF170 MMBF1374T1 MMBF170LT1 MMBF0201NLT1G
Modello di prodotti MMBF170 MMBF1374T1 MMBF170LT1 MMBF0201NLT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base MMBF17 - MMBF17 MMBF0201
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 - SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V - 60 pF @ 10 V 45 pF @ 5 V
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA - 3V @ 1mA 2.4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Serie - * - -
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 60 V - 60 V 20 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 300mW (Ta) - 225mW (Ta) 225mW (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V - 5Ohm @ 200mA, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta) - 500mA (Ta) 300mA (Ta)

MMBF170 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MMBF170 PDF e la documentazione onsemi per MMBF170 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Design/Specifica
Standard Marking Lay-out 10/Oct/2022.pdf Mult Dev 07/Jun/2023.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Change 17/May/2023.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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