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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloMMBF0201NLT1G
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

MMBF0201NLT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MMBF0201NLT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MMBF0201NLT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
MMBF,MVMBF0201NLT1.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 338710

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Specifiche

Specifiche tecnologiche MMBF0201NLT1G
Specifiche tecniche onsemi - MMBF0201NLT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MMBF0201NLT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 225mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)  
Numero di prodotto di base MMBF0201  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MMBF0201NLT1G

Proprietà del prodotto MMBF0201NLT1G MMBF170 MMBF1374T1 MMBF0201NLT1
Modello di prodotti MMBF0201NLT1G MMBF170 MMBF1374T1 MMBF0201NLT1
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 - SOT-23-3 (TO-236)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta) 500mA (Ta) - 300mA (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 225mW (Ta) 300mW (Ta) - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Serie - - * -
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA 3V @ 1mA - 2.4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 60 V - 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 5 V 40 pF @ 10 V - 45 pF @ 5 V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Cut Tape (CT)
Numero di prodotto di base MMBF0201 - - MMBF02
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V - 1Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V - -

MMBF0201NLT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MMBF0201NLT1G PDF e la documentazione onsemi per MMBF0201NLT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Glue Mount Process 11/July/2008.pdf Copper Wire 26/May/2009.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Mold Comp Chg 1/Apr/2020.pdf
Schede tecniche
MMBF,MVMBF0201NLT1.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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