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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUF76445P3
HUF76445P3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HUF76445P3 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUF76445P3
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUF76445P3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUF76445P3, HUF76445S3S.pdf
In magazzino: 4670

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUF76445P3
Specifiche tecniche onsemi - HUF76445P3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUF76445P3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4965 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base HUF76  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUF76445P3

Proprietà del prodotto HUF76445P3 HUF76619D3S HUF76443P3 HUF76443P3
Modello di prodotti HUF76445P3 HUF76619D3S HUF76443P3 HUF76443P3
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Numero di prodotto di base HUF76 - HUF76 -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc) 75W (Tc) 260W (Tc) 260W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4965 pF @ 25 V 767 pF @ 25 V 4115 pF @ 25 V 4115 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 129 nC @ 10 V 129 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 75A, 10V 85mOhm @ 18A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-252, (D-Pak) TO-220-3 TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 18A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 60 V 60 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™

HUF76445P3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUF76445P3 PDF e la documentazione onsemi per HUF76445P3 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUF76445P3, HUF76445S3S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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