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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUF76439S3S
HUF76439S3S Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HUF76439S3S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUF76439S3S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUF76439S3S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
HUF76439P3, HUF76439S3S.pdf
In magazzino: 4240

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUF76439S3S
Specifiche tecniche onsemi - HUF76439S3S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUF76439S3S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2745 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base HUF76  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUF76439S3S

Proprietà del prodotto HUF76439S3S HUF76437S3S HUF76609D3S HUF76445S3S
Modello di prodotti HUF76439S3S HUF76437S3S HUF76609D3S HUF76445S3S
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc) 155W (Tc) 49W (Tc) 310W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 71A, 10V 160mOhm @ 10A, 10V 6.5mOhm @ 75A, 10V
Numero di prodotto di base HUF76 - HUF76 -
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-252AA D2PAK (TO-263)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2745 pF @ 25 V 2230 pF @ 25 V 425 pF @ 25 V 4965 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 71A (Tc) 10A (Tc) 75A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V 60 V

HUF76439S3S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUF76439S3S PDF e la documentazione onsemi per HUF76439S3S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
HUF76439P3, HUF76439S3S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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