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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUF75531SK8T
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HUF75531SK8T - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUF75531SK8T
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUF75531SK8T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
HUF75531SK8.pdf
In magazzino: 4440

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUF75531SK8T
Specifiche tecniche onsemi - HUF75531SK8T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUF75531SK8T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)  
Numero di prodotto di base HUF75  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUF75531SK8T

Proprietà del prodotto HUF75531SK8T HUF75531SK8T HUF75542P3 HUF75345S3ST
Modello di prodotti HUF75531SK8T HUF75531SK8T HUF75542P3 HUF75345S3ST
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 20 V 82 nC @ 20 V 180 nC @ 20 V 275 nC @ 20 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 25 V 1210 pF @ 25 V 2750 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V 30mOhm @ 6A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta) 6A (Ta) 75A (Tc) 75A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 230W (Tc) 325W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC TO-220-3 D²PAK (TO-263)
Numero di prodotto di base HUF75 - HUF75542 HUF75345
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 80 V 80 V 55 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

HUF75531SK8T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUF75531SK8T PDF e la documentazione onsemi per HUF75531SK8T - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
HUF75531SK8.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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