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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUF75345P3
HUF75345P3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HUF75345P3 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUF75345P3
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUF75345P3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUF75345G3/P3/S3S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30083

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUF75345P3
Specifiche tecniche onsemi - HUF75345P3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUF75345P3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 325W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 275 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base HUF75345  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUF75345P3

Proprietà del prodotto HUF75345P3 HUF75344P3 HUF75345S3ST HUF75531SK8T
Modello di prodotti HUF75345P3 HUF75344P3 HUF75345S3ST HUF75531SK8T
fabbricante onsemi Harris Corporation onsemi Fairchild Semiconductor
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 1210 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 325W (Tc) 285W (Tc) 325W (Tc) 2.5W (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 6A (Ta)
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 80 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base HUF75345 - HUF75345 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V 30mOhm @ 6A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 D²PAK (TO-263) 8-SOIC
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 275 nC @ 20 V 210 nC @ 20 V 275 nC @ 20 V 82 nC @ 20 V

HUF75345P3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUF75345P3 PDF e la documentazione onsemi per HUF75345P3 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUF75345G3/P3/S3S.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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