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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQU4P25TU
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQU4P25TU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQU4P25TU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQU4P25TU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
FQD4P25, FQU4P25.pdf
In magazzino: 5080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQU4P25TU
Specifiche tecniche onsemi - FQU4P25TU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQU4P25TU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1Ohm @ 1.55A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQU4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQU4P25TU

Proprietà del prodotto FQU4P25TU FQU5N40TU FQU4P25TU FQU4N50TU-WS
Modello di prodotti FQU4P25TU FQU5N40TU FQU4P25TU FQU4N50TU-WS
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 400 V 250 V 500 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V 420 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Numero di prodotto di base FQU4 FQU5N40 - FQU4N50
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1Ohm @ 1.55A, 10V 1.6Ohm @ 1.7A, 10V 2.1Ohm @ 1.55A, 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Tc) 3.4A (Tc) 3.1A (Tc) 2.6A (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®

FQU4P25TU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQU4P25TU PDF e la documentazione onsemi per FQU4P25TU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQD4P25, FQU4P25.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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