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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQU4N50TU-WS
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQU4N50TU-WS - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQU4N50TU-WS
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQU4N50TU-WS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
FQU4N50TU_WS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4180

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQU4N50TU-WS
Specifiche tecniche onsemi - FQU4N50TU-WS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQU4N50TU-WS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQU4N50  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQU4N50TU-WS

Proprietà del prodotto FQU4N50TU-WS FQU4P25TU FQU3N60TU FQU3N60CTU
Modello di prodotti FQU4N50TU-WS FQU4P25TU FQU3N60TU FQU3N60CTU
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Tc) 3.1A (Tc) 2.4A (Tc) 2.4A (Tc)
Numero di prodotto di base FQU4N50 FQU4 - FQU3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.3A, 10V 2.1Ohm @ 1.55A, 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 3.4Ohm @ 1.2A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 50W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 250 V 600 V 600 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V 420 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 565 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V

FQU4N50TU-WS Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQU4N50TU-WS PDF e la documentazione onsemi per FQU4N50TU-WS - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Numero parte PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Schede tecniche
FQU4N50TU_WS.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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