Specifiche
Specifiche tecnologiche FQS4900TF
Specifiche tecniche onsemi - FQS4900TF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQS4900TF
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
onsemi |
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| Vgs (th) (max) a Id |
1.95V @ 20mA |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
8-SOIC |
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| Serie |
QFET® |
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| Rds On (max) a Id, Vgs |
550mOhm @ 650mA, 10V |
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| Potenza - Max |
2W |
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| Contenitore / involucro |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
2.1nC @ 5V |
|
| Caratteristica FET |
- |
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| Tensione drain-source (Vdss) |
60V, 300V |
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| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
1.3A, 300mA |
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| Configurazione |
N and P-Channel |
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| Numero di prodotto di base |
FQS4900 |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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FQS4410AMI Semiconductor/onsemi
FDMA1027PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
MMDF2P02ER2GonsemiMOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC
RJK03D3DPA-00#J53Renesas Electronics America IncN CHANNEL 30V, 40A, POWER SWITCH
SI4943CDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
SI6544BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP