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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP3N60
FQP3N60 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FQP3N60 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQP3N60
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP3N60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP3N60.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4700

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP3N60
Specifiche tecniche onsemi - FQP3N60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQP3N60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQP3  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQP3N60

Proprietà del prodotto FQP3N60 FQP3P20 FQP3N25 FQP3N30
Modello di prodotti FQP3N60 FQP3P20 FQP3N25 FQP3N30
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 5.2 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 2.8A (Tc) 2.8A (Tc) 3.2A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.4A, 10V 2.2Ohm @ 1.4A, 10V 2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 200 V 250 V 300 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Numero di prodotto di base FQP3 FQP3 - FQP3
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) 52W (Tc) 45W (Tc) 55W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V

FQP3N60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQP3N60 PDF e la documentazione onsemi per FQP3N60 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP3N60.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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