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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP34N20
FQP34N20 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQP34N20 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQP34N20
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP34N20
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP34N20
Specifiche tecniche onsemi - FQP34N20, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQP34N20

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 15.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQP34  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQP34N20

Proprietà del prodotto FQP34N20 FQP3N60 FQP33N10 FQP34N20
Modello di prodotti FQP34N20 FQP3N60 FQP33N10 FQP34N20
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc) 3A (Tc) 33A (Tc) 31A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 15.5A, 10V 3.6Ohm @ 1.5A, 10V 52mOhm @ 16.5A, 10V 75mOhm @ 15.5A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 600 V 100 V 200 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc) 75W (Tc) 127W (Tc) 180W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base FQP34 - FQP33 -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

FQP34N20 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQP34N20 PDF e la documentazione onsemi per FQP34N20 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
Assemblaggio/origine PCN
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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