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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQL40N50F
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQL40N50F - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQL40N50F
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQL40N50F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
FQL40N50F.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4530

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQL40N50F
Specifiche tecniche onsemi - FQL40N50F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQL40N50F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264-3  
Serie FRFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQL40  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQL40N50F

Proprietà del prodotto FQL40N50F NTB082N65S3F STD95N4LF3 FDD13AN06A0-F085
Modello di prodotti FQL40N50F NTB082N65S3F STD95N4LF3 FDD13AN06A0-F085
fabbricante onsemi onsemi STMicroelectronics onsemi
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 6V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc) 313W (Tc) 110W (Tc) 115W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 40A (Tc) 80A (Tc) 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 650 V 40 V 60 V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Contenitore dispositivo fornitore TO-264-3 D²PAK (TO-263) DPAK TO-252AA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 10V 82mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 40A, 10V 13.5mOhm @ 50A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 3410 pF @ 400 V 2500 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base FQL40 NTB082 STD95 FDD13AN06
Vgs (Max) ±30V ±30V ±16V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 4mA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie FRFET® SuperFET® III STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FQL40N50F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQL40N50F PDF e la documentazione onsemi per FQL40N50F - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assem/Material Chg 10/Oct/2019.pdf
Schede tecniche
FQL40N50F.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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