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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQL40N50
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQL40N50 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQL40N50
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQL40N50
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
FQL40N50.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 6739

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQL40N50
Specifiche tecniche onsemi - FQL40N50, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQL40N50

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQL40  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQL40N50

Proprietà del prodotto FQL40N50 HUFA75545P3 HUF75639S3 AO4728
Modello di prodotti FQL40N50 HUFA75545P3 HUF75639S3 AO4728
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base FQL40 - HUF75639 AO47
Serie QFET® UltraFET™ UltraFET™ SRFET™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 3750 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 4463 pF @ 15 V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 80 V 100 V 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 75A (Tc) 56A (Tc) 20A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc) 270W (Tc) 200W (Tc) 3.1W (Ta)
Caratteristica FET - - - Schottky Diode (Body)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 235 nC @ 20 V 130 nC @ 20 V 72 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-264-3 TO-220-3 I2PAK (TO-262) 8-SOIC
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 10V 10mOhm @ 75A, 10V 25mOhm @ 56A, 10V 4.3mOhm @ 20A, 10V

FQL40N50 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQL40N50 PDF e la documentazione onsemi per FQL40N50 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Location 30/Nov/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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