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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQI9N50CTU
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQI9N50CTU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQI9N50CTU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQI9N50CTU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
FQI9N50CTU.pdf
In magazzino: 5350

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQI9N50CTU
Specifiche tecniche onsemi - FQI9N50CTU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQI9N50CTU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 135W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQI9  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQI9N50CTU

Proprietà del prodotto FQI9N50CTU FQI9N50CTU FQI7N80TU FQI7N60TU
Modello di prodotti FQI9N50CTU FQI9N50CTU FQI7N80TU FQI7N60TU
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V 1.5Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base FQI9 - - FQI7N60
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 800 V 600 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 135W (Tc) 135W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) 9A (Tc) 6.6A (Tc) 7.4A (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FQI9N50CTU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQI9N50CTU PDF e la documentazione onsemi per FQI9N50CTU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Passivation Material 14/May/2008.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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