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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQI7N60TU
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQI7N60TU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQI7N60TU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQI7N60TU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
FQB7N60, FQI7N60.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 41604

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQI7N60TU
Specifiche tecniche onsemi - FQI7N60TU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQI7N60TU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 3.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 142W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.4A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQI7N60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQI7N60TU

Proprietà del prodotto FQI7N60TU FQI5N60CTU FQI7N80TU FQI7N60TU
Modello di prodotti FQI7N60TU FQI5N60CTU FQI7N80TU FQI7N60TU
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.4A (Tc) 4.5A (Tc) 6.6A (Tc) 7.4A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 800 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base FQI7N60 FQI5N60 - FQI7N60
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 3.7A, 10V 2.5Ohm @ 2.25A, 10V 1.5Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3.7A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)

FQI7N60TU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQI7N60TU PDF e la documentazione onsemi per FQI7N60TU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Schede tecniche
FQB7N60, FQI7N60.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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