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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQH90N15
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQH90N15 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQH90N15
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQH90N15
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 90A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
FQH90N15.pdf
In magazzino: 3950

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQH90N15
Specifiche tecniche onsemi - FQH90N15, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQH90N15

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 45A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQH9  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQH90N15

Proprietà del prodotto FQH90N15 FQD20N06LETM FQH44N10 NTD3055L170T4
Modello di prodotti FQH90N15 FQD20N06LETM FQH44N10 NTD3055L170T4
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-252AA TO-247-3 -
Numero di prodotto di base FQH9 FQD2 FQH4 NTD30
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-247-3 -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA -
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) 17.2A (Tc) 48A (Tc) -
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 60 V 100 V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 62 nC @ 10 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 45A, 10V 60mOhm @ 8.6A, 10V 39mOhm @ 24A, 10V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 180W (Tc) -
Serie QFET® QFET® QFET® -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8700 pF @ 25 V 665 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V -

FQH90N15 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQH90N15 PDF e la documentazione onsemi per FQH90N15 - onsemi.

Informazioni ambientali
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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