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New Zealand(Maori) Brazil(Português) Angola(Português) Mozambique(Português)
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQB19N20CTM
FQB19N20CTM Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FQB19N20CTM - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQB19N20CTM
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQB19N20CTM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FQB19N20C.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4330

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQB19N20CTM
Specifiche tecniche onsemi - FQB19N20CTM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQB19N20CTM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 9.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 139W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQB19N20  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQB19N20CTM

Proprietà del prodotto FQB19N20CTM FQB19N10TM FQB19N20LTM FQB17P10TM
Modello di prodotti FQB19N20CTM FQB19N10TM FQB19N20LTM FQB17P10TM
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±30V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 100 V 200 V 100 V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 35 nC @ 5 V 39 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base FQB19N20 FQB1 FQB19N20 -
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V 780 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 139W (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 9.5A, 10V 100mOhm @ 9.5A, 10V 140mOhm @ 10.5A, 10V 190mOhm @ 8.25A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc) 19A (Tc) 21A (Tc) 16.5A (Tc)

FQB19N20CTM Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQB19N20CTM PDF e la documentazione onsemi per FQB19N20CTM - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Packaging PCN
TO263 31/Aug/2016.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
Schede tecniche
FQB19N20C.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Multiple Parts 23/Jun/2022.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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