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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQB19N10TM
FQB19N10TM Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQB19N10TM - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQB19N10TM
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQB19N10TM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FQB19N10, FQI19N10.pdf
In magazzino: 3720

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQB19N10TM
Specifiche tecniche onsemi - FQB19N10TM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQB19N10TM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 9.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 75W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQB1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQB19N10TM

Proprietà del prodotto FQB19N10TM FQB17P10TM FQB17P06TM FQB19N20CTM
Modello di prodotti FQB19N10TM FQB17P10TM FQB17P06TM FQB19N20CTM
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc) 16.5A (Tc) 17A (Tc) 19A (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base FQB1 FQB1 FQB1 FQB19N20
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 75W (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 9.5A, 10V 190mOhm @ 8.25A, 10V 120mOhm @ 8.5A, 10V 170mOhm @ 9.5A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 60 V 200 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FQB19N10TM Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQB19N10TM PDF e la documentazione onsemi per FQB19N10TM - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQB19N10, FQI19N10.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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