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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQA85N06
FQA85N06 Image
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FQA85N06 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQA85N06
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQA85N06
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 100A TO3P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
FQA85N06.pdf
In magazzino: 5450

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQA85N06
Specifiche tecniche onsemi - FQA85N06, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQA85N06

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4120 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 112 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQA8  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQA85N06

Proprietà del prodotto FQA85N06 FQA7N60 FQA90N08 FQA70N15
Modello di prodotti FQA85N06 FQA7N60 FQA90N08 FQA70N15
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc) 152W (Tc) 214W (Tc) 330W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 7.7A (Tc) 90A (Tc) 70A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P TO-3P TO-3PN TO-3PN
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 600 V 80 V 150 V
Numero di prodotto di base FQA8 FQA7 FQA90 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 112 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 175 nC @ 10 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 50A, 10V 1Ohm @ 3.9A, 10V 16mOhm @ 45A, 10V 28mOhm @ 35A, 10V
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4120 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V 3250 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FQA85N06 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQA85N06 PDF e la documentazione onsemi per FQA85N06 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQA85N06.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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