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FQA7N90M Image
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FQA7N90M - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQA7N90M
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQA7N90M
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
FQA7N90M.pdf
In magazzino: 4960

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQA7N90M
Specifiche tecniche onsemi - FQA7N90M, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQA7N90M

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8Ohm @ 3.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 210W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1880 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQA7  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQA7N90M

Proprietà del prodotto FQA7N90M FQA70N10 FQA8N80 FQA90N08
Modello di prodotti FQA7N90M FQA70N10 FQA8N80 FQA90N08
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) 70A (Tc) 8.4A (Tc) 90A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P TO-3PN TO-3P TO-3PN
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8Ohm @ 3.5A, 10V 23mOhm @ 35A, 10V 1.2Ohm @ 4.2A, 10V 16mOhm @ 45A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 100 V 800 V 80 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1880 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 2350 pF @ 25 V 3250 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 210W (Tc) 214W (Tc) 220W (Tc) 214W (Tc)
Numero di prodotto di base FQA7 FQA70 - -

FQA7N90M Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQA7N90M PDF e la documentazione onsemi per FQA7N90M - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQA7N90M.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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