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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDT434P
FDT434P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDT434P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDT434P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDT434P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
FDT434P.pdf
In magazzino: 4030

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDT434P
Specifiche tecniche onsemi - FDT434P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDT434P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 6A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1187 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDT43  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDT434P

Proprietà del prodotto FDT434P FDT3N40TF FDT1600N10ALZ FDT458P
Modello di prodotti FDT434P FDT3N40TF FDT1600N10ALZ FDT458P
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V 6 nC @ 10 V 3.77 nC @ 10 V 3.5 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta) 2A (Tc) 5.6A (Tc) 3.4A (Ta)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 5V @ 250µA 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 400 V 100 V 30 V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1187 pF @ 10 V 225 pF @ 25 V 225 pF @ 50 V 205 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base FDT43 FDT3N40 FDT1600 FDT458
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) 2W (Tc) 10.42W (Tc) 3W (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±8V ±30V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 6A, 4.5V 3.4Ohm @ 1A, 10V 160mOhm @ 2.8A, 10V 130mOhm @ 3.4A, 10V
Serie PowerTrench® UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®

FDT434P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDT434P PDF e la documentazione onsemi per FDT434P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 126/Jul/2018.pdf
Schede tecniche
FDT434P.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 04/Dec/2019.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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