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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDT3612
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDT3612 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDT3612
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDT3612
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
FDT3612.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 102060

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDT3612
Specifiche tecniche onsemi - FDT3612, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDT3612

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 3.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 632 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDT36  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDT3612

Proprietà del prodotto FDT3612 FDT458P FDT3N40TF FDT1600N10ALZ
Modello di prodotti FDT3612 FDT458P FDT3N40TF FDT1600N10ALZ
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 3.5 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 3.77 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ PowerTrench®
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 2W (Tc) 10.42W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 3.7A, 10V 130mOhm @ 3.4A, 10V 3.4Ohm @ 1A, 10V 160mOhm @ 2.8A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 30 V 400 V 100 V
Numero di prodotto di base FDT36 FDT458 FDT3N40 FDT1600
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 632 pF @ 50 V 205 pF @ 15 V 225 pF @ 25 V 225 pF @ 50 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 10V 5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Ta) 3.4A (Ta) 2A (Tc) 5.6A (Tc)

FDT3612 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDT3612 PDF e la documentazione onsemi per FDT3612 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 21/May/2020.pdf
Schede tecniche
FDT3612.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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